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2025.09.04
思遠(yuǎn)半導(dǎo)體SY5888：DDR5 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)下的優(yōu)秀PMIC

    在存儲(chǔ)技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，DDR5內(nèi)存以其高性能、低功耗等優(yōu)勢(shì)，成為推動(dòng)下一代高性能計(jì)算系統(tǒng)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而DDR5跟之前的DDR最大的變化在于DDR5提出板載電源PMIC方案，其明顯優(yōu)勢(shì)在于：更高的電源轉(zhuǎn)換效率和更低的能耗以及更精確、更穩(wěn)定的電壓調(diào)節(jié)，增強(qiáng)了電源管理功能與監(jiān)控能力，優(yōu)化主板設(shè)計(jì)，節(jié)省主板空間，支持更高的內(nèi)存密度和未來(lái)升級(jí)，改善高頻信號(hào)完整性。

    順應(yīng)這一趨勢(shì)，思遠(yuǎn)半導(dǎo)體推出了專為DDR5 SODIMM和UDIMM設(shè)計(jì)的電源管理芯片SY5888，為DDR5內(nèi)存模塊的穩(wěn)定運(yùn)行與性能提升提供了強(qiáng)有力的支持。

        SY5888.png

SY5888示意原理圖


配圖.jpg


完全符合DDR5 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

    DDR5內(nèi)存技術(shù)遵循JEDEC制定的JESD79-5標(biāo)準(zhǔn)，為開發(fā)者提供兩倍于上一代的性能以及顯著提升的電源效率。SY5888完全符合JESD301-2標(biāo)準(zhǔn)，在客戶端的多樣化應(yīng)用場(chǎng)景中，都能穩(wěn)定發(fā)揮作用。


強(qiáng)大的功率級(jí)集成

  1. 高效降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器：SY5888集成了3個(gè)高效降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器：SWA/SWB/SWC。這些轉(zhuǎn)換器峰值效率均超過(guò)90%高于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，能夠?qū)?V輸入電壓精準(zhǔn)地轉(zhuǎn)換為DDR5內(nèi)存模組各組件所需的1.1V和1.8V電壓，精度達(dá)到1%。保障數(shù)據(jù)的高速讀寫與處理，避免因供電不穩(wěn)定導(dǎo)致的數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤或系統(tǒng)卡頓。

  2. 穩(wěn)定的LDO供電：芯片具有兩個(gè)LDO，分別為VOUT1_1.8V和 VOUT2_1.0V。主板通過(guò)讀取SPD信息來(lái)正確配置內(nèi)存的工作狀態(tài)。VOUT1_1.8V和VOUT2_1.0V為SPD集線器供電，保障SPD信息的準(zhǔn)確傳輸與管理。在DDR5內(nèi)存高頻運(yùn)行過(guò)程中，溫度的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)對(duì)于保障系統(tǒng)穩(wěn)定性至關(guān)重要。VOUT2_1.0V為溫度傳感器供電，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)內(nèi)存模組的溫度變化。SY5888通過(guò)穩(wěn)定的LDO供電，確保溫度傳感器能夠精準(zhǔn)反饋溫度數(shù)據(jù)，以便系統(tǒng)及時(shí)采取功耗管理措施。


出色的超頻性能

        在內(nèi)存領(lǐng)域，超頻性能是衡量?jī)?nèi)存模組及相關(guān)組件性能的重要指標(biāo)之一。SY5888支持DDR5內(nèi)存條超頻至8000MT/s以上，相較于市場(chǎng)上同類產(chǎn)品，展現(xiàn)出卓越的超頻支持能力。這一特性使得用戶在對(duì)內(nèi)存性能有極致追求的高端游戲電腦等場(chǎng)景下能夠充分挖掘DDR5內(nèi)存的潛力。以高端游戲?yàn)槔?，超頻后的DDR5內(nèi)存配合SY5888穩(wěn)定的電源管理，能夠顯著提升游戲加載速度，減少游戲過(guò)程中的卡頓現(xiàn)象，為玩家?guī)?lái)更加流暢、沉浸式的游戲體驗(yàn)。


可靠性設(shè)計(jì)與環(huán)保

  1. 高可靠性：從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，SY5888經(jīng)過(guò)了嚴(yán)格的質(zhì)量把控與測(cè)試流程。在面對(duì)DDR5內(nèi)存高頻負(fù)載波動(dòng)較大、對(duì)電壓精度要求極高的挑戰(zhàn)時(shí)，SY5888憑借其精準(zhǔn)的電壓調(diào)節(jié)精度和快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，確保內(nèi)存模塊在高負(fù)載運(yùn)行下的穩(wěn)定性。并能夠最大程度對(duì)不同顆粒進(jìn)行兼容。

  2. 環(huán)保封裝：SY5888采用FC-QFN-28 (3mmx4mm) 封裝，這種封裝形式不僅具備體積小巧、占用空間少的優(yōu)勢(shì)，有利于內(nèi)存模組的小型化設(shè)計(jì)，還采用了無(wú)鹵無(wú)鉛材料，完全符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。這意味著在產(chǎn)品的整個(gè)生命周期中，對(duì)環(huán)境的危害降至最低，充分體現(xiàn)了思遠(yuǎn)半導(dǎo)體在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的環(huán)保理念。


市場(chǎng)應(yīng)用與前景

    目前，SY5888已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并獲得了知名大客戶的采購(gòu)。這不僅證明了SY5888在技術(shù)性能上的卓越表現(xiàn)，也顯示出市場(chǎng)對(duì)其高度認(rèn)可。隨著DDR5內(nèi)存技術(shù)在全球范圍內(nèi)的廣泛應(yīng)用與普及，從個(gè)人電腦、筆記本電腦到數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器等各個(gè)領(lǐng)域，對(duì)符合DDR5 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的高性能PMIC的需求持續(xù)增長(zhǎng)。SY5888作為思遠(yuǎn)半導(dǎo)體的杰出產(chǎn)品，將憑借其出色的性能、可靠的質(zhì)量以及環(huán)保的設(shè)計(jì)，在存儲(chǔ)電源管理芯片市場(chǎng)中占據(jù)重要地位，為推動(dòng)DDR5內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用發(fā)揮積極作用，助力各行業(yè)在數(shù)字化時(shí)代實(shí)現(xiàn)更高效率的運(yùn)算與數(shù)據(jù)處理。


關(guān)于思遠(yuǎn)半導(dǎo)體

    深圳市思遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司成立于2011年，專注高性能模擬芯片、 數(shù)?；旌闲盘?hào)SoC芯片的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，致力為智能穿戴、存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)中心、新能源等行業(yè)提供領(lǐng)先的電源管理芯片。
    近兩年來(lái)，思遠(yuǎn)半導(dǎo)體深耕智能穿戴產(chǎn)品市場(chǎng)，累計(jì)出貨量超過(guò)15億顆。客戶包括三星、榮耀、小米、OPPO、一加、vivo、傳音、魅族、1MORE、Nothing等國(guó)內(nèi)外知名品牌，服務(wù)全球數(shù)億消費(fèi)者。同時(shí)，公司戰(zhàn)略性地重點(diǎn)推出DDR5和SSD的PMIC等產(chǎn)品，成為第一個(gè)純國(guó)產(chǎn)研發(fā)并量產(chǎn)的廠家，為DDR5 PMIC的國(guó)產(chǎn)化邁出關(guān)鍵一步，引領(lǐng)市場(chǎng)發(fā)展，助力推動(dòng)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈的完善 和自主可控能力的提升。
    思遠(yuǎn)半導(dǎo)體總部在深圳，并在上海、成都、珠海設(shè)立了分支機(jī)構(gòu)，研發(fā)團(tuán)隊(duì)成員占比62%，分別畢業(yè)于香港科技大學(xué)、北京大學(xué)、浙江大學(xué)、電子科技大學(xué)等知名高校，碩士及以上學(xué)歷占比50%以上。憑借在電源管理系統(tǒng)芯片領(lǐng)域的深入研究和創(chuàng)新實(shí)力，思遠(yuǎn)半導(dǎo)體2023年、2024年連續(xù)兩年斬獲52audio金音獎(jiǎng)——年度電源芯片，同時(shí)，公司榮獲2023年創(chuàng)芯新銳獎(jiǎng)、2022年中國(guó)模擬半導(dǎo)體優(yōu)秀企業(yè)獎(jiǎng)、2022年中國(guó)IC風(fēng)云榜“年度新銳公司獎(jiǎng)”、2021第八屆中國(guó)IoT大會(huì)暨2021第六屆中國(guó)IoT創(chuàng)新獎(jiǎng)，以及2021創(chuàng)“芯”藍(lán)海評(píng)獎(jiǎng)成果秀AIoT卓越獎(jiǎng)等。目前，公司已申請(qǐng)、獲得超200項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。




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